- [檢測百科]分享：Nd含量對磁控濺射Si(111)/Cr/Nd-Co/Cr薄膜結(jié)構(gòu)與磁性的影響2025年02月08日 13:54
- 采用磁控濺射技術(shù)制備了系列Si(111)/Cr(10 nm)/NdCox(400 nm)/Cr(10 nm)薄膜，其中，Co/Nd原子比x=2.5~7.2。利用XRD、SEM、AFM/MFM、VSM等手段研究了Nd含量對制備態(tài)薄膜垂直磁各向異性(PMA)與磁疇結(jié)構(gòu)及退火態(tài)薄膜相結(jié)構(gòu)與磁性的影響規(guī)律
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