- [檢測百科]分享：不同Si３N４ 相涂層坩堝中全熔多晶硅錠的制備及表征2022年12月09日 14:10
- 以αＧSi３N４ 和βＧSi３N４ 粉為原料,采用免燒結工藝在坩堝內壁上分別制備了αＧSi３N４ 涂層、βＧSi３N４ 涂層以及二者質量比為１∶１的復合涂層,然后在這些涂層坩堝中制備得到了多晶硅鑄錠,觀察了涂層和硅錠的表面形貌,測試了硅錠的表面粗糙度、晶粒大小以及紅區長度.結果表明:αＧSi３N４ 涂層表面粗糙不平、起伏不均勻,對應硅錠的表面粗糙度和晶粒尺寸最大,紅區最長;βＧSi３N４ 涂層表面較平整且起伏均勻,對應硅錠的表面粗糙度最小,晶粒尺寸較小,紅區最短;復合涂層的表面粗糙度介于上述二者之間,對應硅錠的晶粒尺寸最小,紅區長度介于二者之間.
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